纯铝片氧化铝模板的制备

纯铝片氧化铝模板的制备

       用传统的直接用纯铝片制备氧化铝模板的缺点在于：氧化铝膜是脆性的，随着科学发展的需要，人们希望得到不同厚度的铝模板，那么，当要求它很薄的时候比方说只有几百纳米时，氧化铝膜在较软的铝片上易碎；特别是将氧化铝模板做纳米复制的时候，过程较为繁琐，更不能很好的保护氧化铝膜的完整性，这些缺点极大地限制了它的应用。由此，人们提出了在衬底材料上先沉积上一定厚度的铝膜，再做阳极氧化，这样就可以改变沉底材料，满足不同的要求，比如说改变了衬底的硬度，很好的保护了氧化铝膜，使其更好的得到应用。于是在硅片上溅射或者蒸发上铝膜引起了一阵热潮，但是这有面临着很多的问题；
       首先所要解决的问题就是，如果单纯的硅片上沉积铝膜，那么后期的阳极氧化实验不好开展，因为阳极氧化是电化学实验，这种情况下不好引线，另外一方面，也是最重要的一方面就是，即使上述问题解决的了，这种方法也不能得到膜厚超过1µm的氧化铝膜，因为若二次氧化的铝层厚度超过这个界限，二次氧化后的氧化铝膜会从硅片上脱落下来。于是乎，人们就开始想办法如何解决。于是，人们先在硅片上沉积上一层金属导电层，这些作为金属导电层的金属一般有：Pt，Au，Cu等导电性能良好的贵金属，以方便后期的电化学实验的开展，但是这样的改进有出现了新的问题，金属层容易从硅片上脱落下来，那么该如何提高金属导电层与硅片底层之间的结合呢？于是人们想到了在金属导电层与硅片之间镀上一层过渡层，以使得各膜层直接更好的结合，实验的结果很好的证明了这种想法的正确性。一般作为过渡层的有：Ta，Ti，W，Nb，TiN。
      最初的氧化铝模板是利用纯铝片阳极氧化而得到的，氧化铝模板因其具有的以为有序性而得到了广泛的应用，尤其是二次氧化的提出使得科学界对它的研究达到了高潮，氧化铝模板一般都是用来生长阵列或者长量子点以及做生物微电极。

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